IPW50R299CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPW50R299CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IPW50R299CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW50R299CP даташит

 ..1. Size:533K  infineon
ipw50r299cp.pdfpdf_icon

IPW50R299CP

IPW50R299CP TM C IMOSTM # A0

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
ipw50r299cp.pdfpdf_icon

IPW50R299CP

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPW50R299CP IIPW50R299CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 299m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Peak Current Capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

 7.1. Size:537K  infineon
ipw50r250cp.pdfpdf_icon

IPW50R299CP

IPW50R250CP TM C IMOSTM # A0

 7.2. Size:2146K  infineon
ipw50r280ce ipp50r280ce.pdfpdf_icon

IPW50R299CP

IPW50R280CE, IPP50R280CE MOSFET PG-TO 247 PG-TO 220 500V CoolMOS CE Power Transistor tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation while representing a co

Другие IGBT... IPU075N03LG, IPU090N03LG, IPU103N08N3G, IPU135N03LG, IPU135N08N3G, IPW50R140CP, IPW50R199CP, IPW50R250CP, RU7088R, IPW50R350CP, IPW50R399CP, IPW60R041C6, IPW60R045CP, IPW60R045CPA, IPW60R070C6, IPW60R075CP, IPW60R075CPA