IPW50R399CP MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPW50R399CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPW50R399CP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.399 Ohm

Encapsulados: TO247

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IPW50R399CP datasheet

..1. Size:670K infineon
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IPW50R399CP TM C IMOSTM # A0

..2. Size:243K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPW50R399CP IIPW50R399CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 399m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Peak Current Capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

7.1. Size:534K infineon
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IPW50R350CP TM C IMOSTM # A0

7.2. Size:243K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPW50R350CP IIPW50R350CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 350m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Peak Current Capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN