IPW90R120C3 Todos los transistores

 

IPW90R120C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPW90R120C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IPW90R120C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  infineon
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IPW90R120C3

IPW90R120C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T =25C 900 VDS J Lowest figure-of-merit RON x QgR @ T =25C 0.12DS(on),max J Extreme dv/dt ratedQ 270 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Worldwide best R in TO247PG-TO247DS,on

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IPW90R120C3

IPW90R1K2C3CIMOS #:A0INU . J6A>;>:9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CIU 2 AIG6 ADL

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IPW90R120C3

IPW90R1K0C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T =25C 900 VDS J Lowest figure-of-merit RON x QgR @ T = 25C 1.0DS(on),max J Extreme dv/dt ratedQ 34 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TO247 Ultra low gate chargeCoolMOS 90

 7.3. Size:243K  inchange semiconductor
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IPW90R120C3

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW90R1K2C3IIPW90R1K2C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.2Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltag

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