SPA03N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPA03N60C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de SPA03N60C3 MOSFET
SPA03N60C3 Datasheet (PDF)
spp03n60c3 spa03n60c3 spp03n60c3 spa03n60c3 .pdf

VDS Tjmax G FP G 3 21P-TO220-3-31 G ;-3-111
Otros transistores... IPW65R660CFD , IPW90R120C3 , IPW90R1K0C3 , IPW90R1K2C3 , IPW90R340C3 , IPW90R500C3 , IPW90R800C3 , SPA02N80C3 , 7N65 , SPA04N50C3 , SPA04N60C3 , SPA04N80C3 , SPA06N60C3 , SPA06N80C3 , SPA07N60C3 , SPA07N60CFD , SPA07N65C3 .
History: AM4964NT | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | QM04N60F | P0460BTFS | VS6018BS
History: AM4964NT | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | QM04N60F | P0460BTFS | VS6018BS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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