SPA03N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPA03N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для SPA03N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA03N60C3 даташит

 ..1. Size:593K  infineon
 spp03n60c3 spa03n60c3 spp03n60c3 spa03n60c3 .pdf pdf_icon

SPA03N60C3

VDS Tjmax G FP G 3 2 1 P-TO220-3-31 G ;-3-111

Другие IGBT... IPW65R660CFD, IPW90R120C3, IPW90R1K0C3, IPW90R1K2C3, IPW90R340C3, IPW90R500C3, IPW90R800C3, SPA02N80C3, IRF630, SPA04N50C3, SPA04N60C3, SPA04N80C3, SPA06N60C3, SPA06N80C3, SPA07N60C3, SPA07N60CFD, SPA07N65C3