SPA17N80C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPA17N80C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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SPA17N80C3 datasheet

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SPA17N80C3

SPP17N80C3 SPA17N80C3 Cool MOS Power Transistor VDS 800 V Feature RDS(on) 0.29 New revolutionary high voltage technology ID 17 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220-3-31 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 3 Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 Ultra low effective capacitances Improved transconductance PG-TO-22

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
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SPA17N80C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPA17N80C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.29 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

 0.1. Size:977K  infineon
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SPA17N80C3

SPP17N80C3 SPA17N80C3 Cool MOS Power Transistor VDS 800 V Feature RDS(on) 0.29 New revolutionary high voltage technology ID 17 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220-3-31 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 3 Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 Ultra low effective capacitances Improved transconductance PG-TO-22

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