SPA17N80C3 Todos los transistores

 

SPA17N80C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPA17N80C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP
 

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SPA17N80C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:779K  infineon
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SPA17N80C3

SPP17N80C3SPA17N80C3Cool MOS Power TransistorVDS800 VFeatureRDS(on) 0.29 New revolutionary high voltage technologyID 17 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220-3-31 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21P-TO220-3-31 Ultra low effective capacitances Improved transconductance PG-TO-22

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
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SPA17N80C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPA17N80C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.29Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSY

 0.1. Size:977K  infineon
 spp17n80c3 spa17n80c3.rev.2.7.pdf pdf_icon

SPA17N80C3

SPP17N80C3SPA17N80C3Cool MOS Power TransistorVDS800 VFeatureRDS(on) 0.29 New revolutionary high voltage technologyID 17 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220-3-31 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21P-TO220-3-31 Ultra low effective capacitances Improved transconductance PG-TO-22

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History: SIA527DJ | NCE60NF730D | FDZ294N | BUK127-50DL | NCE60N370K | FDZ291P

 

 
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