SPB03N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPB03N60C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SPB03N60C3 MOSFET
SPB03N60C3 Datasheet (PDF)
spb03n60c3.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB03N60C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo
spb03n60s5.pdf

SPB03N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB03N60S5 PG-TO263 Q67040-S4197 03N60S5Maximum RatingsPara
Otros transistores... SPA17N80C3 , SPA20N60C3 , SPA20N60CFD , SPA20N65C3 , SPA21N50C3 , SPB80N06S-08 , SPB02N60C3 , SPB02N60S5 , IRF1407 , SPB03N60S5 , SPB04N50C3 , SPB04N60C3 , SPB04N60S5 , SPB07N60C3 , SPB07N60S5 , SPB08P06PG , SPB100N03S2-03G .
History: APT5014B2VFRG | 2SK2049 | AP6941GMT-HF | AON7700 | SL2328A | TK14A65W5 | AUIRFS4321
History: APT5014B2VFRG | 2SK2049 | AP6941GMT-HF | AON7700 | SL2328A | TK14A65W5 | AUIRFS4321



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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