SPB03N60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SPB03N60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO263
SPB03N60C3 Datasheet (PDF)
spb03n60c3.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB03N60C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo
spb03n60s5.pdf

SPB03N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB03N60S5 PG-TO263 Q67040-S4197 03N60S5Maximum RatingsPara
Другие MOSFET... SPA17N80C3 , SPA20N60C3 , SPA20N60CFD , SPA20N65C3 , SPA21N50C3 , SPB80N06S-08 , SPB02N60C3 , SPB02N60S5 , IRF1407 , SPB03N60S5 , SPB04N50C3 , SPB04N60C3 , SPB04N60S5 , SPB07N60C3 , SPB07N60S5 , SPB08P06PG , SPB100N03S2-03G .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84