Справочник MOSFET. SPB03N60C3

 

SPB03N60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB03N60C3
   Маркировка: 03N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB03N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:484K  infineon
 spb03n60c3.pdf pdf_icon

SPB03N60C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb03n60c3.pdf pdf_icon

SPB03N60C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB03N60C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 6.1. Size:347K  infineon
 spb03n60s5.pdf pdf_icon

SPB03N60C3

SPB03N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB03N60S5 PG-TO263 Q67040-S4197 03N60S5Maximum RatingsPara

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.