SPB04N50C3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SPB04N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPB04N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: TO263

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SPB04N50C3 datasheet

..1. Size:289K 1
spa04n50c3 spb04n50c3 spp04n50c3.pdf pdf_icon

SPP04N50C3, SPB04N50C3 Final data SPA04N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A Ultra low gate charge P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance

..2. Size:1827K infineon
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VDS Tjmax G 63 G

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spp04n60c3 spb04n60c3 spa04n60c3.pdf pdf_icon

SPP04N60C3, SPB04N60C3 Final data SPA04N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A Ultra low gate charge P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO

8.2. Size:423K infineon
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VDS Tjmax G G

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