SPB04N50C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB04N50C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB04N50C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB04N50C3 даташит

 ..1. Size:289K  1
 spa04n50c3 spb04n50c3 spp04n50c3.pdf pdf_icon

SPB04N50C3

SPP04N50C3, SPB04N50C3 Final data SPA04N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A Ultra low gate charge P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance

 ..2. Size:1827K  infineon
 spb04n50c3.pdf pdf_icon

SPB04N50C3

VDS Tjmax G 63 G

 8.1. Size:304K  infineon
 spp04n60c3 spb04n60c3 spa04n60c3.pdf pdf_icon

SPB04N50C3

SPP04N60C3, SPB04N60C3 Final data SPA04N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A Ultra low gate charge P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO

 8.2. Size:423K  infineon
 spb04n60c3.pdf pdf_icon

SPB04N50C3

VDS Tjmax G G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPA20N60CFD, SPA20N65C3, SPA21N50C3, SPB80N06S-08, SPB02N60C3, SPB02N60S5, SPB03N60C3, SPB03N60S5, AO4407, SPB04N60C3, SPB04N60S5, SPB07N60C3, SPB07N60S5, SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG, SPB11N60C3