SPB08P06PG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPB08P06PG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO263

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SPB08P06PG datasheet

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SPB08P06PG

SPB08P06P G SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -60 V DS P-Channel R 0.3 DS(on),max Enhancement mode I -8.8 A D Avalanche rated dv /dt rated 175 C operating temperature PG-TO263-3 Pb-free lead finishing; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type Package Tape and reel information Marking Lead free Packing PG-

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