SPB11N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPB11N60C3
   Código: 11N60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPB11N60C3

SPB11N60C3 Datasheet (PDF)

..1. Size:469K infineon
spb11n60c3.pdf

SPB11N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB11N60C3 PG-TO263 Q67040-S4396 11N60C3Maximum RatingsP

..2. Size:258K inchange semiconductor
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Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB11N60C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

6.1. Size:686K infineon
spb11n60s5.pdf

SPB11N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking11N60S5SPB11N60S5 PG-TO263 Q67040-S4199Maximum RatingsPar

6.2. Size:258K inchange semiconductor
spb11n60s5.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB11N60S5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: OSG65R900DEF | GSM3030 | 2SK3595-01MR | IPD036N04LG

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: