SPB11N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB11N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB11N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB11N60C3 даташит

 ..1. Size:469K  infineon
 spb11n60c3.pdf pdf_icon

SPB11N60C3

SPB11N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPB11N60C3 PG-TO263 Q67040-S4396 11N60C3 Maximum Ratings P

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb11n60c3.pdf pdf_icon

SPB11N60C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB11N60C3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

 6.1. Size:686K  infineon
 spb11n60s5.pdf pdf_icon

SPB11N60C3

SPB11N60S5 Cool MOS Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking 11N60S5 SPB11N60S5 PG-TO263 Q67040-S4199 Maximum Ratings Par

 6.2. Size:258K  inchange semiconductor
 spb11n60s5.pdf pdf_icon

SPB11N60C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB11N60S5 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPB04N50C3, SPB04N60C3, SPB04N60S5, SPB07N60C3, SPB07N60S5, SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG, RFP50N06, SPB11N60S5, SPB12N50C3, SPB16N50C3, SPB17N80C3, SPB18P06PG, SPB20N60C3, SPB20N60S5, SPB21N50C3