SPB16N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPB16N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de SPB16N50C3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SPB16N50C3 datasheet

 ..1. Size:1347K  infineon
 spb16n50c3.pdf pdf_icon

SPB16N50C3

SPB16N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technology ID 16 A Ultra low gate charge PG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPB16N50C3 PG-TO263 Q67040-S4642 16N50C3 Maximum Rating

Otros transistores... SPB07N60C3, SPB07N60S5, SPB08P06PG, SPB100N03S2-03G, SPB10N10LG, SPB11N60C3, SPB11N60S5, SPB12N50C3, 18N50, SPB17N80C3, SPB18P06PG, SPB20N60C3, SPB20N60S5, SPB21N50C3, SPB80N10LG, SPB80P06PG, SPD01N60C3