SPB16N50C3 Todos los transistores

 

SPB16N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPB16N50C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SPB16N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1347K  infineon
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SPB16N50C3

SPB16N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 16 A Ultra low gate chargePG-TO263 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB16N50C3 PG-TO263 Q67040-S4642 16N50C3Maximum Rating

Otros transistores... SPB07N60C3 , SPB07N60S5 , SPB08P06PG , SPB100N03S2-03G , SPB10N10LG , SPB11N60C3 , SPB11N60S5 , SPB12N50C3 , 75N75 , SPB17N80C3 , SPB18P06PG , SPB20N60C3 , SPB20N60S5 , SPB21N50C3 , SPB80N10LG , SPB80P06PG , SPD01N60C3 .

History: 75N75L-TQ2-T | HAT2287WP | LSGG06R098W3 | PMN50EPE | SUM55P06-19L | SDF11N90GAF | BSZ088N03MSG

 

 
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