SPB20N60C3 Todos los transistores

 

SPB20N60C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPB20N60C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

SPB20N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:782K  infineon
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SPB20N60C3

VDS Tjmax G 3 G

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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SPB20N60C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPB20N60C3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 6.1. Size:665K  infineon
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SPB20N60C3

SPB20N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.19 New revolutionary high voltage technologyID 20 APG-TO263 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPB20N60S5 PG-TO263 Q67040-S4171 20N60S5Maximum RatingsPara

 6.2. Size:204K  inchange semiconductor
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SPB20N60C3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor SPB20N60S5FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIM

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History: BSS84KR

 

 
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