SPD03N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD03N50C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SPD03N50C3 MOSFET
SPD03N50C3 Datasheet (PDF)
spd03n50c3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD03N50C3, ISPD03N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 560
spd03n60c3 spu03n60c3.pdf

VDS Tjmax 650 VjmaxFeature 1.4 DS(on) New revolutionary high voltage technology .2 AD Ultra low gate chargePGTO251 PGTO252 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductanceType Package Ordering Cde MarkingSPD0 N60C PGTO252 Q67040S4421 0 N60C SPU0 N60C PGTO251 0 N60C Maximum Rat
spd03n60s5 spu03n60s5.pdf

SPU03N60S5SPD03N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO252 PG-TO251 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated2 Ultra low effective capacitances33121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking03N60S5SPU03N60S5 PG-T
Otros transistores... SPB21N50C3 , SPB80N10LG , SPB80P06PG , SPD01N60C3 , SPD02N50C3 , SPD02N60C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , NCEP15T14 , SPD03N60C3 , SPD03N60S5 , SPD04N50C3 , SPD04N60C3 , SPD04N60S5 , SPD04N80C3 , SPD04P10PG , SPD04P10PLG .
History: HM10P10D | LSB55R050GT | FDU6688 | UPA1950 | BSL207SP | S85N042RP
History: HM10P10D | LSB55R050GT | FDU6688 | UPA1950 | BSL207SP | S85N042RP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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