SPD04N50C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD04N50C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SPD04N50C3 MOSFET
SPD04N50C3 Datasheet (PDF)
spd04n50c3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD04N50C3,ISPD04N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved transconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 560
spd04n60s5 spu04n60s5.pdf

SPU04N60S5SPD04N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO252. P-TO251. Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking04N60S5SPU04N60S5 P-T
spd04n80c3.pdf

SPD04N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 1.3WDS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 23 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant; available in Halogen free mold compounda)PG-TO252-3
Otros transistores... SPD01N60C3 , SPD02N50C3 , SPD02N60C3 , SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD03N50C3 , SPD03N60C3 , SPD03N60S5 , STP65NF06 , SPD04N60C3 , SPD04N60S5 , SPD04N80C3 , SPD04P10PG , SPD04P10PLG , SPD06N60C3 , SPD06N80C3 , SPD07N20G .
History: AON6548 | 6N70KG-TMS-T | HGS090NE6AL | CEU6056 | HGD080N08SL | AFN8987 | FDD8444-NL
History: AON6548 | 6N70KG-TMS-T | HGS090NE6AL | CEU6056 | HGD080N08SL | AFN8987 | FDD8444-NL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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