SPD04N80C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPD04N80C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SPD04N80C3 MOSFET
SPD04N80C3 Datasheet (PDF)
spd04n80c3.pdf

SPD04N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 1.3WDS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 23 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant; available in Halogen free mold compounda)PG-TO252-3
spd04n80c3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor SPD04N80C3,ISPD04N80C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.3Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 8
spd04n60s5 spu04n60s5.pdf

SPU04N60S5SPD04N60S5Cool MOS Power TransistorVDS600 VFeatureRDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technologyID 4.5 A Ultra low gate chargeP-TO252. P-TO251. Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated23 Ultra low effective capacitances3121 Improved transconductanceType Package Ordering Code Marking04N60S5SPU04N60S5 P-T
Otros transistores... SPD02N60S5 , SPD02N80C3 , SPD03N50C3 , SPD03N60C3 , SPD03N60S5 , SPD04N50C3 , SPD04N60C3 , SPD04N60S5 , AON7403 , SPD04P10PG , SPD04P10PLG , SPD06N60C3 , SPD06N80C3 , SPD07N20G , SPD07N60C3 , SPD07N60S5 , SPD08N50C3 .
History: IXTA10N60P | 2SJ245L | CEB10N4 | 2SK3450-01 | SWT20N50D | SSF1502D | OSG65R900GTF
History: IXTA10N60P | 2SJ245L | CEB10N4 | 2SK3450-01 | SWT20N50D | SSF1502D | OSG65R900GTF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet