SPD04P10PLG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPD04P10PLG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPD04P10PLG

SPD04P10PLG Datasheet (PDF)

..1. Size:457K infineon
spd04p10plg.pdf

SPD04P10PL GSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 850mDS(on),max Enhancement modeI -4.2 AD Logic level Avalanche ratedPG-TO-252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free Packing Tape and reel informationSPD04P10PL G PG-TO252-3 04P10PL Yes Non dry

4.1. Size:685K infineon
spd04p10pl.pdf

&# # # #;B1= '=-:>5>?;=#=;0@/? &@99-=DFeatures 100 VDSDSQ * 92??6= 850 m DS(on) maxQ ?92?46>6?D >@56 4.2 ADQ &@8:4 =6F6=Q F2=2?496 B2D65PGTO252-3-3Q *3 7B66 =625 A=2D:?8 + @", 4@>A=:2?DType Package Marking 1-0 2=11 Packing Tape and reel information,* * *& ! PGTO252 04P10PL Yes ( @? 5BI 1000 pcs / reel!-C59@9 =-?5:3> 2D T E?=6CC @D96

5.1. Size:474K infineon
spd04p10pg.pdf

SPD04P10P GSIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 1DS(on),max Enhancement modeI -4 AD Normal level Avalanche ratedPG-TO252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free Packing Tape and reel informationSPD04P10P G PG-TO252-3 04P10P Yes Non dry 1000 pcs

5.2. Size:679K infineon
spd04p10p.pdf