BF410C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF410C

Tipo de FET: FET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.012 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1000 Ohm

Encapsulados: TO92

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BF410C datasheet

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BF410C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF410A to D N-channel silicon field-effect transistors December 1990 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF410A to D DESCRIPTION PINNING - TO-92 VARIANT Asymmetrical N-channel planar 1 = drain epitaxial junction field-effect 2 = sou

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