BF510 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BF510
   Tipo de FET: FET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5000 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BF510

BF510 Datasheet (PDF)

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bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planarBF510 = S6pepitaxial junction field-effectBF511 = S7pt

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bf510 bf511 bf512 bf513.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effect transistorsProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planar BF510 = S6pepitaxial junction field-effect BF511 = S7ptransistors in the miniature plastic BF51

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mmbf5103.pdf

MMBF5103N-Channel SwitchG This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 51. See J111 for characteristics.SSOT-23DMark: 66A1. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 40 VVGS Ga

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Liste

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