BF510 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF510  📄📄 

Tipo de FET: FET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.003 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5000 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BF510 datasheet

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BF510

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p t

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BF510

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors Product specification December 1997 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p transistors in the miniature plastic BF51

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BF510

MMBF5103 N-Channel Switch G This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 51. See J111 for characteristics. S SOT-23 D Mark 66A 1. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 40 V VGS Ga

Otros transistores... BF350, BF351, BF352, BF353, BF410A, BF410B, BF410C, BF410D, SKD502T, BF511, BF512, BF513, BF545A, BF545B, BF545C, BF556A, BF556B