SPI08N80C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPI08N80C3
Código: 08N80C3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 104 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.9 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 46 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPI08N80C3
SPI08N80C3 Datasheet (PDF)
spi08n80c3.pdf
SPI08N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.65DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 45 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TO262-3 Ultra low gate charge Ultra low eff
spp08n50c3 spi08n50c3 spp08n50c3 spi08n50c3 spa08n50c3 rev.2.91.pdf
SPP08N50C3, SPI08N50C3SPA08N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technologyID 7.6 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
