BF511 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF511
Tipo de FET: FET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.007 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3000 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de BF511 MOSFET
Principales características: BF511
bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p t
bf510 bf511 bf512 bf513.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors Product specification December 1997 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p transistors in the miniature plastic BF51
Otros transistores... BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , K4145 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , BF556C .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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