Справочник MOSFET. BF511

 

BF511 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF511
   Тип транзистора: FET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.007 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 0.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3000 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BF511 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  philips
 bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf pdf_icon

BF511

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planarBF510 = S6pepitaxial junction field-effectBF511 = S7pt

 ..2. Size:234K  philips
 bf510 bf511 bf512 bf513.pdf pdf_icon

BF511

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effect transistorsProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planar BF510 = S6pepitaxial junction field-effect BF511 = S7ptransistors in the miniature plastic BF51

Другие MOSFET... BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , RFP50N06 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , BF556C .

History: DMN15H310SE | PS05N20DA | IRFTS8342 | CS4N65FA9R | SIHF9540 | NCE70N900R | IXTX200N10L2

 

 
Back to Top

 


 
.