BF511 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BF511  📄📄 

Тип транзистора: FET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.007 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 0.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3000 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BF511

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF511 даташит

 ..1. Size:34K  philips
 bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf pdf_icon

BF511

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p t

 ..2. Size:234K  philips
 bf510 bf511 bf512 bf513.pdf pdf_icon

BF511

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors Product specification December 1997 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p transistors in the miniature plastic BF51

Другие IGBT... BF351, BF352, BF353, BF410A, BF410B, BF410C, BF410D, BF510, K4145, BF512, BF513, BF545A, BF545B, BF545C, BF556A, BF556B, BF556C