BF511 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BF511
Маркировка: S7_S7p
Тип транзистора: FET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.007 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 0.4 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3000 Ohm
Тип корпуса: SOT23
BF511 Datasheet (PDF)
bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planarBF510 = S6pepitaxial junction field-effectBF511 = S7pt
bf510 bf511 bf512 bf513.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effect transistorsProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planar BF510 = S6pepitaxial junction field-effect BF511 = S7ptransistors in the miniature plastic BF51
Другие MOSFET... BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , IRF4905 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , BF556C .
![BF511](https://alltransistors.com/images/us.png)
![BF511](https://alltransistors.com/images/es.png)
![BF511](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCES120R018T4 | NCES120P075T4 | NCES120P035T4 | NCES075R026T4 | NCES075R026T | NCEP60ND60G | NCEP60ND30AG | NCEP40T14A | NCEP40ND80G | NCEP1580F | NCEP023NH85GU | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30GU | NCEP015NH30AQU | NCEP015NH30AGU