SPI15N60CFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SPI15N60CFD
   Código: 15N60CFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 63 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPI15N60CFD

SPI15N60CFD Datasheet (PDF)

..1. Size:559K infineon
spi15n60cfd b.pdf

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5.1. Size:700K infineon
spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3.pdf

SPP15N60C3, SPI15N60C3SPA15N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 15 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

5.2. Size:684K infineon
spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3 rev.3.2new.pdf

7.1. Size:558K infineon
spi15n65c3.pdf

SPI15N65C3CIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 650 VDSR 'AH 93E7 5:3C97 0.28 WDS(on) maxR IEC7?7 6G 6E C3E76 6 nCg typR #;9: B73= 5FCC7@E 53B34;>;EJR , F3>;8;76 for industrial grade applications 355AC6;@9 EA % R +4 8C77 >736 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@E; Halogen free mold compoundTO262 1 ;;8!#& 01>53:10 2;=R ) AE74AA= 63BE7CType Package Mar

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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