Справочник MOSFET. SPI15N60CFD

 

SPI15N60CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPI15N60CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SPI15N60CFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI15N60CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  infineon
 spi15n60cfd b.pdf pdf_icon

SPI15N60CFD

SPI15N60CFDCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesV 1?B6M 650 V!0 V &CIG>CH>8 ;6HI G:8DK:GN 7D9N 9>D9:R 0. 0 DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 for industrial grade applications 688DG9>C53:10 2;=V 0D;IHL>I8

 5.1. Size:700K  infineon
 spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3.pdf pdf_icon

SPI15N60CFD

SPP15N60C3, SPI15N60C3SPA15N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 15 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

 5.2. Size:684K  infineon
 spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3 rev.3.2new.pdf pdf_icon

SPI15N60CFD

SPP15N60C3, SPI15N60C3SPA15N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 15 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

 7.1. Size:558K  infineon
 spi15n65c3.pdf pdf_icon

SPI15N60CFD

SPI15N65C3CIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 650 VDSR 'AH 93E7 5:3C97 0.28 WDS(on) maxR IEC7?7 6G 6E C3E76 6 nCg typR #;9: B73= 5FCC7@E 53B34;>;EJR , F3>;8;76 for industrial grade applications 355AC6;@9 EA % R +4 8C77 >736 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@E; Halogen free mold compoundTO262 1 ;;8!#& 01>53:10 2;=R ) AE74AA= 63BE7CType Package Mar

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SPI08N50C3 , SPI08N80C3 , SPI11N60C3 , SPI11N60CFD , SPI11N60S5 , SPI11N65C3 , SPI12N50C3 , SPI15N60C3 , IRFB4110 , SPI15N65C3 , SPI16N50C3 , SPI20N60C3 , SPI20N60CFD , SPI20N65C3 , SPI21N50C3 , SPP02N60C3 , SPP02N60S5 .

History: BSC155N06ND | IXTA1N100P | STF15NM65N | ZXMN3A01Z | SPI20N60CFD

 

 
Back to Top

 


 
.