SPI15N65C3 Todos los transistores

 

SPI15N65C3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPI15N65C3
   Código: 15N65C3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 63 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPI15N65C3

 

SPI15N65C3 Datasheet (PDF)

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SPI15N65C3
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SPI15N65C3CIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 650 VDSR 'AH 93E7 5:3C97 0.28 WDS(on) maxR IEC7?7 6G 6E C3E76 6 nCg typR #;9: B73= 5FCC7@E 53B34;>;EJR , F3>;8;76 for industrial grade applications 355AC6;@9 EA % R +4 8C77 >736 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@E; Halogen free mold compoundTO262 1 ;;8!#& 01>53:10 2;=R ) AE74AA= 63BE7CType Package Mar

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SPI15N65C3

SPP15N60C3, SPI15N60C3SPA15N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 15 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

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SPI15N65C3
SPI15N65C3

SPP15N60C3, SPI15N60C3SPA15N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 15 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

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SPI15N65C3
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SPI15N60CFDCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesV 1?B6M 650 V!0 V &CIG>CH>8 ;6HI G:8DK:GN 7D9N 9>D9:R 0. 0 DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 for industrial grade applications 688DG9>C53:10 2;=V 0D;IHL>I8

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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