SPI15N65C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPI15N65C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SPI15N65C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPI15N65C3 даташит

 ..1. Size:558K  infineon
 spi15n65c3.pdf pdf_icon

SPI15N65C3

SPI15N65C3 C IMOSTM $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 650 V DS R 'AH 93E7 5 3C97 0.28 W DS(on) max R IEC7?7 6G 6E C3E76 6 nC g typ R #;9 B73= 5FCC7@E 53B34;>;EJ R , F3>;8;76 for industrial grade applications 355AC6;@9 EA % R +4 8C77 >736 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@E; Halogen free mold compound TO 262 1 ;;8!#& 01>53 10 2;= R ) AE74AA= 63BE7C Type Package Mar

 7.1. Size:700K  infineon
 spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3.pdf pdf_icon

SPI15N65C3

SPP15N60C3, SPI15N60C3 SPA15N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technology ID 15 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

 7.2. Size:684K  infineon
 spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3 rev.3.2new.pdf pdf_icon

SPI15N65C3

SPP15N60C3, SPI15N60C3 SPA15N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technology ID 15 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111

 7.3. Size:559K  infineon
 spi15n60cfd b.pdf pdf_icon

SPI15N65C3

SPI15N60CFD C IMOSTM $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features V 1?B6M 650 V !0 V &CIG>CH>8 ;6HI G 8DK GN 7D9N 9>D9 R 0. 0 DS(on) max V "MIG B AN ADL G K GH G 8DK GN 8=6G;> 9 for industrial grade applications 688DG9>C53 10 2;= V 0D;IHL>I8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPI08N80C3, SPI11N60C3, SPI11N60CFD, SPI11N60S5, SPI11N65C3, SPI12N50C3, SPI15N60C3, SPI15N60CFD, IRFB4115, SPI16N50C3, SPI20N60C3, SPI20N60CFD, SPI20N65C3, SPI21N50C3, SPP02N60C3, SPP02N60S5, SPP02N80C3