SPI15N65C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPI15N65C3
Маркировка: 15N65C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 540 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для SPI15N65C3
SPI15N65C3 Datasheet (PDF)
spi15n65c3.pdf
SPI15N65C3CIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 650 VDSR 'AH 93E7 5:3C97 0.28 WDS(on) maxR IEC7?7 6G 6E C3E76 6 nCg typR #;9: B73= 5FCC7@E 53B34;>;EJR , F3>;8;76 for industrial grade applications 355AC6;@9 EA % R +4 8C77 >736 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@E; Halogen free mold compoundTO262 1 ;;8!#& 01>53:10 2;=R ) AE74AA= 63BE7CType Package Mar
spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3.pdf
SPP15N60C3, SPI15N60C3SPA15N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 15 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111
spp15n60c3 spi15n60c3 spa15n60c3 rev.3.2new.pdf
SPP15N60C3, SPI15N60C3SPA15N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.28 New revolutionary high voltage technologyID 15 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 Ultra low effective capacitances21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-220-3-31;-3-111
spi15n60cfd b.pdf
SPI15N60CFDCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesV 1?B6M 650 V!0 V &CIG>CH>8 ;6HI G:8DK:GN 7D9N 9>D9:R 0. 0 DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 for industrial grade applications 688DG9>C53:10 2;=V 0D;IHL>I8
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
