BF513 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF513

Tipo de FET: FET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.018 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 500 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BF513 datasheet

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BF513

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p t

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BF513

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF510 to 513 N-channel silicon field-effect transistors Product specification December 1997 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513 DESCRIPTION MARKING CODE Asymmetrical N-channel planar BF510 = S6p epitaxial junction field-effect BF511 = S7p transistors in the miniature plastic BF51

Otros transistores... BF353, BF410A, BF410B, BF410C, BF410D, BF510, BF511, BF512, AON7410, BF545A, BF545B, BF545C, BF556A, BF556B, BF556C, BF805, BF861A