BF513 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BF513
Маркировка: S9_S9p
Тип транзистора: FET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.4 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 500 Ohm
Тип корпуса: SOT23
BF513 Datasheet (PDF)
bf510 bf511 bf512 bf513 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effecttransistorsDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planarBF510 = S6pepitaxial junction field-effectBF511 = S7pt
bf510 bf511 bf512 bf513.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF510 to 513N-channel silicon field-effect transistorsProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF510 to 513DESCRIPTION MARKING CODEAsymmetrical N-channel planar BF510 = S6pepitaxial junction field-effect BF511 = S7ptransistors in the miniature plastic BF51
Другие MOSFET... BF353 , BF410A , BF410B , BF410C , BF410D , BF510 , BF511 , BF512 , RFP50N06 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , BF556C , BF805 , BF861A .
History: FDP085N10AF102
History: FDP085N10AF102
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918