SPP18P06PH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPP18P06PH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 81.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO220

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SPP18P06PH datasheet

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SPP18P06PH

SPP18P06P H SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS -60 V P-Channel RDS(on),max 0.13 Enhancement mode ID -18.7 A Avalanche rated dv /dt rated PG-TO220-3-1 175 C operating temperature Pb-free lead finishing; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and reel

 ..2. Size:641K  infineon
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SPP18P06PH

SPP18P06P H SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -60 V DS P-Channel R 0.13 DS(on),max Enhancement mode I -18.7 A D Avalanche rated dv /dt rated 175 C operating temperature Pb-free lead finishing; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and reel information

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SPP18P06PH

SPP18P06PG www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) TrenchFET Power MOSFET ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.062 at VGS = - 10 V - 20 - 60 12.5 0.074 at VGS = - 4.5 V - 15 APPLICATIONS Load Switch S TO-220AB G D G D S Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter

Otros transistores... SPP12N50C3, SPP15N60C3, SPP15N60CFD, SPP15N65C3, SPP15P10PG, SPP15P10PLH, SPP16N50C3, SPP17N80C3, BS170, SPP20N60C3, SPP20N60CFD, SPP20N60S5, SPP20N65C3, SPP21N50C3, SPP24N60C3, SPP24N60CFD, SPP80P06PH