SPU02N60S5 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SPU02N60S5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPU02N60S5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO251

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SPU02N60S5 datasheet

..1. Size:709K infineon
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SPU02N60S5 SPD02N60S5 Cool MOS Power Transistor VDS 600 V Feature RDS(on) 3 New revolutionary high voltage technology ID 1.8 A Ultra low gate charge PG-TO252 PG-TO251 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 2 3 Ultra low effective capacitances 3 1 2 1 Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking 02N60S5 SPU02N60S5 PG-TO2

..2. Size:882K infineon
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..3. Size:260K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor SPU02N60S5 FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

6.1. Size:603K infineon
spd02n60c3 spu02n60c3.pdf pdf_icon

VDS Tjmax G G G G

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