SPW07N60CFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPW07N60CFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SPW07N60CFD MOSFET
SPW07N60CFD Datasheet (PDF)
spw07n60cfd.pdf
SPW07N60CFDTMCIMOSTM #:A0D9:R 0.7DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 688DG9>CC
Otros transistores... SPU02N60C3 , SPU02N60S5 , SPU03N60C3 , SPU03N60S5 , SPU04N60C3 , SPU04N60S5 , SPU07N60C3 , SPU07N60S5 , STP65NF06 , SPW11N60C3 , SPW11N60CFD , SPW11N60S5 , SPW11N80C3 , SPW12N50C3 , SPW15N60C3 , SPW15N60CFD , SPW16N50C3 .
History: PP4B10AT | STB25NM50N-1 | IPB03N03LBG | IPB039N10N3GE8187 | ZVN0124ASTOB | FQPF50N06 | 2N60L-T60-T
History: PP4B10AT | STB25NM50N-1 | IPB03N03LBG | IPB039N10N3GE8187 | ZVN0124ASTOB | FQPF50N06 | 2N60L-T60-T
Liste
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