SPW07N60CFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPW07N60CFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SPW07N60CFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW07N60CFD даташит

 ..1. Size:667K  infineon
 spw07n60cfd.pdf pdf_icon

SPW07N60CFD

SPW07N60CFD TM C IMOSTM # A0D9 R 0.7 DS(on) max V "MIG B AN ADL G K GH G 8DK GN 8=6G;> 9 688DG9>CC

Другие IGBT... SPU02N60C3, SPU02N60S5, SPU03N60C3, SPU03N60S5, SPU04N60C3, SPU04N60S5, SPU07N60C3, SPU07N60S5, STP65NF06, SPW11N60C3, SPW11N60CFD, SPW11N60S5, SPW11N80C3, SPW12N50C3, SPW15N60C3, SPW15N60CFD, SPW16N50C3