Справочник MOSFET. SPW07N60CFD

 

SPW07N60CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPW07N60CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SPW07N60CFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW07N60CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:667K  infineon
spw07n60cfd.pdfpdf_icon

SPW07N60CFD

SPW07N60CFDTMCIMOSTM #:A0D9:R 0.7DS(on) maxV "MIG:B:AN ADL G:K:GH: G:8DK:GN 8=6G;>:9 688DG9>CC

Другие MOSFET... SPU02N60C3 , SPU02N60S5 , SPU03N60C3 , SPU03N60S5 , SPU04N60C3 , SPU04N60S5 , SPU07N60C3 , SPU07N60S5 , IRFZ48N , SPW11N60C3 , SPW11N60CFD , SPW11N60S5 , SPW11N80C3 , SPW12N50C3 , SPW15N60C3 , SPW15N60CFD , SPW16N50C3 .

History: BSP126 | BF1208D | IRFI840GLCPBF | 2SK2793 | OSG60R022HT3ZF | TPM8205ATS6 | CJAC10TH10

 

 
Back to Top

 


 
.