SPW16N50C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SPW16N50C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO247

 Búsqueda de reemplazo de SPW16N50C3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SPW16N50C3 datasheet

 ..1. Size:760K  infineon
 spw16n50c3.pdf pdf_icon

SPW16N50C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw16n50c3.pdf pdf_icon

SPW16N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW16N50C3 ISPW16N50C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 280m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Improved Transconductance ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 50

Otros transistores... SPW07N60CFD, SPW11N60C3, SPW11N60CFD, SPW11N60S5, SPW11N80C3, SPW12N50C3, SPW15N60C3, SPW15N60CFD, IRFB7545, SPW17N80C3, SPW20N60C3, SPW20N60CFD, SPW20N60S5, SPW21N50C3, SPW24N60C3, SPW24N60CFD, SPW32N50C3