Справочник MOSFET. SPW16N50C3

 

SPW16N50C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPW16N50C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPW16N50C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  infineon
 spw16n50c3.pdf pdf_icon

SPW16N50C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw16n50c3.pdf pdf_icon

SPW16N50C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW16N50C3ISPW16N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)280mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 50

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP10N9R0R | MTDN3018S6R | BLF878 | 2N4338 | SI1402DH | FDMS7672 | LSD65R380GF

 

 
Back to Top

 


 
.