IRF1010Z Todos los transistores

 

IRF1010Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF1010Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 63 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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IRF1010Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  international rectifier
 irf1010zlpbf irf1010zpbf irf1010zspbf.pdf pdf_icon

IRF1010Z

PD - 95361AIRF1010ZPbFIRF1010ZSPbFIRF1010ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperature Dl Fast Switching VDSS = 55Vl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeRDS(on) = 7.5mGDescriptionID = 75AThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to achieve extr

 ..2. Size:180K  international rectifier
 irf1010z.pdf pdf_icon

IRF1010Z

PD - 94652AUTOMOTIVE MOSFETIRF1010ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 7.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

 0.1. Size:268K  international rectifier
 auirf1010zstrl.pdf pdf_icon

IRF1010Z

PD - 97458AAUIRF1010ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010ZSAUIRF1010ZLFeatures Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureV(BR)DSS55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up toRDS(on) max.7.5mTjmaxG Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited)94A Automotive Qualified *S

 0.2. Size:752K  infineon
 auirf1010z auirf1010zs auirf1010zl.pdf pdf_icon

IRF1010Z

AUIRF1010Z AUIRF1010ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 7.5m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 94A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive

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History: CM20N60F

 

 
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