IRF6610 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6610

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6610 datasheet

 ..1. Size:249K  international rectifier
irf6610.pdf pdf_icon

IRF6610

PD - 97012 IRF6610 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (

 8.1. Size:268K  international rectifier
irf6614pbf irf6614trpbf.pdf pdf_icon

IRF6610

PD -97090 IRF6614PbF IRF6614TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 40V max 20V max 5.9m @ 10V 7.1m @ 4.5V l Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 19nC 6.0nC 1.4nC 5.5nC 9.5nC 1.8V l Low

 8.2. Size:279K  international rectifier
irf6619.pdf pdf_icon

IRF6610

PD - 96917B IRF6619 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

 8.3. Size:200K  international rectifier
irf6612.pdf pdf_icon

IRF6610

PD - 95842 IRF6612/IRF6612TR1 HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l Application Specific MOSFETs 30V 3.3m @VGS = 10V 30nC 4.4m @VGS = 4.5V l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (

Otros transistores... IRF640N, IRF640NL, IRF640NS, IRF6603, IRF6604, IRF6607, IRF6608, IRF6609, 2N7000, IRF6611, IRF6612, IRF6613, IRF6614, IRF6616, IRF6617, IRF6618, IRF6619