IRF6610 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6610
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
Búsqueda de reemplazo de IRF6610 MOSFET
IRF6610 Datasheet (PDF)
irf6610.pdf

PD - 97012IRF6610DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (
irf6614pbf irf6614trpbf.pdf

PD -97090IRF6614PbFIRF6614TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)40V max 20V max 5.9m@ 10V 7.1m@ 4.5Vl Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Converters19nC 6.0nC 1.4nC 5.5nC 9.5nC 1.8Vl Low
irf6619.pdf

PD - 96917BIRF6619DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (
irf6612.pdf

PD - 95842IRF6612/IRF6612TR1HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) max Qg(typ.)l Application Specific MOSFETs 30V 3.3m@VGS = 10V 30nC4.4m@VGS = 4.5Vl Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Low Conduction Lossesl Low Switching Lossesl Low Profile (
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History: KP809G1 | IPI60R299CP | SWF7N65D | NTJS4151PT1 | IXTH6N120 | FCP067N65S3 | DMN4031SSD
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Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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