IRF6619 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6619
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
Búsqueda de reemplazo de IRF6619 MOSFET
IRF6619 Datasheet (PDF)
irf6619.pdf

PD - 96917BIRF6619DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (
irf6610.pdf

PD - 97012IRF6610DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (
irf6614pbf irf6614trpbf.pdf

PD -97090IRF6614PbFIRF6614TRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260C Reflow)40V max 20V max 5.9m@ 10V 7.1m@ 4.5Vl Application Specific MOSFETsQg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Converters19nC 6.0nC 1.4nC 5.5nC 9.5nC 1.8Vl Low
irf6612.pdf

PD - 95842IRF6612/IRF6612TR1HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) max Qg(typ.)l Application Specific MOSFETs 30V 3.3m@VGS = 10V 30nC4.4m@VGS = 4.5Vl Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Low Conduction Lossesl Low Switching Lossesl Low Profile (
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Liste
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