IRF6619 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6619
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1580 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
Encapsulados: DIRECTFET
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IRF6619 datasheet
irf6619.pdf
PD - 96917B IRF6619 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (
irf6610.pdf
PD - 97012 IRF6610 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Lead and Bromide Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) Low Profile (
irf6614pbf irf6614trpbf.pdf
PD -97090 IRF6614PbF IRF6614TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 40V max 20V max 5.9m @ 10V 7.1m @ 4.5V l Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 19nC 6.0nC 1.4nC 5.5nC 9.5nC 1.8V l Low
irf6612.pdf
PD - 95842 IRF6612/IRF6612TR1 HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l Application Specific MOSFETs 30V 3.3m @VGS = 10V 30nC 4.4m @VGS = 4.5V l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (
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