IRF6629 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6629
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Encapsulados: DIRECTFET
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IRF6629 datasheet
irf6629pbf.pdf
PD - 97235 IRF6629PbF IRF6629TRPbF DirectFET Power MOSFET l RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Application Specific MOSFETs 25V max 20V max 1.6m @ 10V 2.1m @ 4.5V l Ideal for CPU Core DC-DC Converters Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Low Conduction Losses 34nC 11nC 4.2n
irf6628pbf.pdf
PD - 97234 IRF6628PbF IRF6628TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Application Specific MOSFETs 25V max 20V max 1.9m @ 10V 2.5m @ 4.5V l Ideal for CPU Core DC-DC Converters Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Low Conduction Losses 31nC 12nC 4.1nC
irf6620.pdf
PD - 95823A IRF6620 HEXFET Power MOSFET l Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l Low Conduction Losses 20V 2.7m @VGS = 10V 28nC l Low Switching Losses 3.6m @VGS = 4.5V l Low Profile (
irf6620pbf irf6620trpbf.pdf
PD - 97092 IRF6620PbF IRF6620TRPbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant VDSS RDS(on) max Qg(typ.) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) l Application Specific MOSFETs 20V 2.7m @VGS = 10V 28nC l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 3.6m @VGS = 4.5V l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Low Profile (
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Liste
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