IRF6643 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6643

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0345 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6643 datasheet

 ..1. Size:263K  international rectifier
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IRF6643

PD - 97112A IRF6643TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 150V max 20V max 29m @ 10V l Application Specific MOSFETs l Ideal for High Performance Isolated Converter Qg tot Qgd Vgs(th) Primary Switch Socket 39nC 11nC 4.0V l Optimized for Synchronous Rectificat

 8.1. Size:250K  international rectifier
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IRF6643

PD - 97262 IRF6641TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 200V max 20V max 51m @ 10V l Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Vgs(th) l Ideal for High Performance Isolated Converter 34nC 9.5nC 4.0V Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectifica

 8.2. Size:262K  international rectifier
 irf6644.pdf pdf_icon

IRF6643

PD - 96908E IRF6644 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) l Low Profile (

 8.3. Size:241K  international rectifier
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IRF6643

PD - 96995A IRF6646 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) Low Profile (

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