IRF6648 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6648
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Encapsulados: DIRECTFET
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IRF6648 datasheet
irf6648pbf irf6648trpbf.pdf
IRF6648PbF IRF6648TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) VDSS VGS RDS(on) Application Specific MOSFETs 60V min 20V max 5.5m @ 10V Optimized for Synchronous Rectification for 5V to 12V outputs Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Low Co
irf6641pbf.pdf
PD - 97262 IRF6641TRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant VDSS VGS RDS(on) l Lead-Free (Qualified up to 260 C Reflow) 200V max 20V max 51m @ 10V l Application Specific MOSFETs Qg tot Qgd Vgs(th) l Ideal for High Performance Isolated Converter 34nC 9.5nC 4.0V Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectifica
irf6644.pdf
PD - 96908E IRF6644 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) l Low Profile (
irf6646.pdf
PD - 96995A IRF6646 DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) RoHS compliant containing no lead or bromide VDSS VGS RDS(on) Low Profile (
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History: AUIRFU024N
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Liste
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