IRF6708S2 Todos los transistores

 

IRF6708S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6708S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 254 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF6708S2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:303K  international rectifier
 irf6708s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6708S2

PD - 96314CIRF6708S2TRPbFIRF6708S2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (

 8.1. Size:268K  1
 irf6702m2d.pdf pdf_icon

IRF6708S2

PD - 97540IRF6702M2DTRPbFIRF6702M2DTR1PbFApplicationsl Dual Common Drain Control MOSFETs forDirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified)FeaturesVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two discrete high side MOSFETs30V max 20V max 5.2m@ 10V 8.6m@ 4.5Vl Optimized for High Frequency Switchingl Low Profile (

 8.2. Size:255K  international rectifier
 irf6706s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6708S2

PD - 97485IRF6706S2TRPbFIRF6706S2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (

 8.3. Size:262K  international rectifier
 irf6709s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF6708S2

PD - 97328AIRF6709S2TRPbFIRF6709S2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (

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History: MDU1518URH | FDN338 | FDC6320C | 2SK3107C | WMP05N80M3 | IRFR3303PBF | S10H12S

 

 
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