IRF6712S Todos los transistores

 

IRF6712S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6712S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF6712S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  international rectifier
 irf6712spbf.pdf pdf_icon

IRF6712S

IRF6712SPbFIRF6712STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.1. Size:302K  international rectifier
 irf6711spbf.pdf pdf_icon

IRF6712S

PD - 96280IRF6711SPbFIRF6711STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:256K  international rectifier
 irf6714mpbf.pdf pdf_icon

IRF6712S

PD - 96130AIRF6714MPbFIRF6714MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

 8.3. Size:218K  international rectifier
 irf6717mpbf.pdf pdf_icon

IRF6712S

PD - 97345CIRF6717MPbFIRF6717MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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History: S60N12R | BSC096N10LS5 | KNP6650A | FQD10N20CTF | 2SJ609 | APTM50AM24SCG | IRF353

 

 
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