Справочник MOSFET. IRF6712S

 

IRF6712S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF6712S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: DIRECTFET
 

 Аналог (замена) для IRF6712S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF6712S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  international rectifier
 irf6712spbf.pdf pdf_icon

IRF6712S

IRF6712SPbFIRF6712STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.1. Size:302K  international rectifier
 irf6711spbf.pdf pdf_icon

IRF6712S

PD - 96280IRF6711SPbFIRF6711STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.2. Size:256K  international rectifier
 irf6714mpbf.pdf pdf_icon

IRF6712S

PD - 96130AIRF6714MPbFIRF6714MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free l Low Profile (

 8.3. Size:218K  international rectifier
 irf6717mpbf.pdf pdf_icon

IRF6712S

PD - 97345CIRF6717MPbFIRF6717MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halgen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF6674 , IRF6678 , IRF6691 , IRF6706S2 , IRF6708S2 , IRF6709S2 , IRF6710S2 , IRF6711S , STP80NF70 , IRF6713S , IRF6714M , IRF6715M , IRF6716M , IRF6717M , IRF6718L2 , IRF6720S2 , IRF6721S .

History: CHM634PAGP | ZXMN6A07F | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.