IRF6720S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6720S2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.35 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7.9 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
IRF6720S2 Datasheet (PDF)
irf6720s2trpbf.pdf

PD - 97315BIRF6720S2TRPbFIRF6720S2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (
irf6723m2d.pdf

PD - 97441IRF6723M2DTRPbFIRF6723M2DTR1PbFApplicationsl Dual Common Drain Control MOSFETs forDirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified)FeaturesVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two Discrete MOSFETs30V max 20V max 5.2m@ 10V 8.6m@ 4.5Vl Optimized for High Frequency Switchingl Low Profile (
irf6722mpbf irf6722mtrpbf.pdf

PD - 96136IRF6722MPbFIRF6722MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6725mpbf.pdf

PD - 96120AIRF6725MPbFIRF6725MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
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History: DMNH10H028SK3 | FS25SM-10A | IRFL110PBF
History: DMNH10H028SK3 | FS25SM-10A | IRFL110PBF



Liste
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