IRF6810S Todos los transistores

 

IRF6810S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6810S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF6810S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  international rectifier
 irf6810spbf.pdf pdf_icon

IRF6810S

PD -96393IRF6810STRPbFIRF6810STR1PbFDirectFETplus Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (

 8.1. Size:253K  international rectifier
 irf6811spbf.pdf pdf_icon

IRF6810S

PD-97634IRF6811SPbFIRF6811STRPbFDirectFETplus Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 9.1. Size:243K  international rectifier
 irf6898mpbf.pdf pdf_icon

IRF6810S

IRF6898MPbFIRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diodel Low Profile (

 9.2. Size:248K  international rectifier
 irf6894mpbf.pdf pdf_icon

IRF6810S

PD - 97633AIRF6894MPbFIRF6894MTRPbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Integrated Monolithic Schottky DiodeVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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History: CP650 | WM02N08L

 

 
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