IRF6811S MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF6811S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6811S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6811S datasheet

..1. Size:253K international rectifier
irf6811spbf.pdf pdf_icon

PD-97634 IRF6811SPbF IRF6811STRPbF DirectFET plus Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

8.1. Size:277K international rectifier
irf6810spbf.pdf pdf_icon

PD -96393 IRF6810STRPbF IRF6810STR1PbF DirectFET plus Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

9.1. Size:243K international rectifier
irf6898mpbf.pdf pdf_icon

IRF6898MPbF IRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode l Low Profile (

9.2. Size:248K international rectifier
irf6894mpbf.pdf pdf_icon

PD - 97633A IRF6894MPbF IRF6894MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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