IRF6894M MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF6894M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6894M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6894M datasheet

..1. Size:248K international rectifier
irf6894mpbf.pdf pdf_icon

PD - 97633A IRF6894MPbF IRF6894MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

..2. Size:248K international rectifier
irf6894m.pdf pdf_icon

8.1. Size:243K international rectifier
irf6898mpbf.pdf pdf_icon

IRF6898MPbF IRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode l Low Profile (

8.2. Size:215K international rectifier
irf6893m.pdf pdf_icon

PD - 97761 IRF6893MPbF IRF6893MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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