IRF7353D2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7353D2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7353D2 datasheet

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IRF7353D2

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IRF7353D2

PD- 95215A IRF7353D2PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-Pack HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 1 8 A K l Ideal For Buck Regulator Applications VDSS = 30V 2 7 l N-Channel HEXFET power MOSFET A K l Low VF Schottky Rectifier 3 6 RDS(on) = 0.029 S D l Generation 5 Technology 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky VF = 0.52V l Lead-Free Top View Description The FETK

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IRF7353D2

PD - 95251A IRF7353D1PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode 1 8 A K VDSS = 30V l Ideal For Buck Regulator Applications 2 7 A K l N-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 0.029 l Low VF Schottky Rectifier S D l Generation 5 Technology 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.39V l Lead-Free Top View Description The FETKY family

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IRF7353D2

PD- 91802A IRF7353D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power MOSFET 1 8 A K and Schottky Diode VDSS = 30V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K N-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 0.029 S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D Generation 5 Technology Schottky Vf = 0.39V SO-8 Footprint Top View Description The FETKY family

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